LAM  839-101612-887 半导体设备备件 原厂正品保障 晶圆制造关键组件

描述

LAM  839-101612-887 半导体设备备件 原厂正品保障 晶圆制造关键组件

LAM 839-101612-887：这款半导体设备专用组件是LAM Research刻蚀设备的核心备件！采用高纯度氧化铝陶瓷，表面特殊涂层处理，耐等离子体腐蚀性能优异。专为2300系列刻蚀设备设计，确保晶圆加工工艺的稳定性和重复性。我们提供原厂测试报告及完整的安装指导文档，帮助您快速完成设备维护。

LAM 839-101612-887产品概述

LAM 839-101612-887是LAM Research为其2300系列等离子体刻蚀设备设计的专用工艺组件。作为晶圆加工腔体内的关键部件，它主要负责在刻蚀过程中维持稳定的等离子体环境并提供均匀的气体分布。该部件通常安装在反应腔的上电极或气体分配系统中，直接影响刻蚀速率和均匀性指标。

根据LAM设备维护手册，LAM 839-101612-887的标准更换周期为12-18个月（取决于工艺配方），是半导体fab厂PM（预防性维护）计划中的常规更换件。部件采用特殊配方的陶瓷材料，可耐受CF4、Cl2等腐蚀性工艺气体的长期侵蚀。

主要特点和优势

材料与工艺优势：

采用99.6%高纯度氧化铝陶瓷基体，孔隙率<0.5%

表面镀有专利的Y2O3涂层，抗等离子体腐蚀性能提升3倍

通过SEMI F47标准认证，适用于300mm晶圆生产

性能可靠性：

精密加工公差±0.05mm，确保气体分布均匀性

经过2000次热冲击测试（-50℃~300℃循环）无开裂

原厂老化测试包含50小时连续等离子体暴露实验

安装便捷性：

模块化设计，支持快速更换（平均更换时间<2小时）

配套专用安装工具包（可选配）

每个部件带唯一序列号，支持工艺参数追溯

英文技术亮点：

The LAM 839-101612-887 utilizes plasma-resistant yttrium oxide(Y2O3)coating with<0.1μm surface roughness,minimizing particle generation.Its asymmetric gas channel design improves etch uniformity to≤3%(1σ)across 300mm wafers.

Each component undergoes helium leak testing(<1×10^-9 mbar·L/s)and residual gas analysis(RGA)to meet Class 10 cleanroom standards.The serialized QR code provides full process history from raw material to final QC.

LAM 839-101612-887技术规格

参数名称参数值

产品型号839-101612-887

制造商LAM Research

产品类型等离子体刻蚀组件

适用设备2300系列刻蚀机（Kiyo/2300 Versys）

基体材料99.6%Al2O3陶瓷

表面处理Y2O3涂层（50μm厚度）

工作温度常温~350℃

耐真空度<5×10^-6 Torr

尺寸公差±0.05mm

清洁等级Class 10(ISO 4)

认证标准SEMI F47/SEMI S2

重量2.4kg

应用领域

LAM 839-101612-887专门用于：

逻辑芯片制造：FinFET栅极刻蚀工艺

存储器生产：3D NAND高深宽比接触孔刻蚀

功率器件：SiC晶圆的等离子体图案化

先进封装：TSV硅通孔刻蚀

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安装与维护

安装前准备：需在Class 100洁净环境下操作，佩戴无尘手套。使用专用扭矩扳手（5Nm±0.5）紧固安装螺丝，过度拧紧会导致陶瓷开裂。安装后必须进行至少5次干泵抽真空测试。

维护建议：建议每处理5000片晶圆后检查表面涂层状态。通过设备端的”Component Life”软件可实时监控部件剩余寿命。发现异常粒子计数（>0.2μm）时应立即更换。